2.5D封装方法，是通过引入硅中介层（Interposer），在这上面进行电路设计（也就是RDL），从而实现两个芯片（例如内存和CPU、GPU等逻辑芯片）的共同封装。这属于横向封装。3D封装，是进一步引入了TSV（硅通孔）技术，在芯片上刻蚀垂直通孔，并填充金属，以此来完成多个晶粒的上下堆叠封装。这属于纵向封装。在实际应用中，通常会同时采用2.5D和3D封装。例如，有1个或多个计算芯片，搭配HBM堆栈。这种封装，有时候也称为3.5D封装。2.5D封装方法，是通过引入硅中介层（Interposer），在这上面进行电路设计（也就是RDL），从而实现两个芯片（例如内存和CPU、GPU等逻辑芯片）的共同封装。这属于横向封装。3D封装，是进一步引入了TSV（硅通孔）技术，在芯片上刻蚀垂直通孔，并填充金属，以此来完成多个晶粒的上下堆叠封装。这属于纵向封装。在实际应用中，通常会同时采用2.5D和3D封装。例如，有1个或多个计算芯片，搭配HBM堆栈。这种封装，有时候也称为3.5D封装。