中国近期宣布成功开发高带宽存储器 (HBM)，据称也正在为混合键合做准备，目标是实现 HBM4E。

此前，华为宣布计划将其自主研发的高带宽存储器 (HBM) 产品“HiBL 1.0”集成到计划于明年第一季度发布的全新 AI 芯片“昇腾 950PR”中。与此同时，中国最大的 DRAM 制造商长鑫存储 (CXMT) 已完成 HBM3（第四代）原型机的开发，并计划于明年实现量产，同时计划于 2027 年开始 HBM3E（第五代）的生产。

华为和长鑫存储将加强与长江存储的合作，在20层堆叠产品的混合键合应用方面展开合作。据报道，长江存储正考虑将其在武汉正在建设的新半导体工厂的一部分建设为DRAM生产线。

此前，长江存储自主研发了基于混合键合的堆叠技术“Xtacking”，并率先在3D NAND领域实现量产，领先于三星、SK海力士和美光。目前，该公司正在推进300层以上的Xtacking 4.0 NAND的量产，同时正在开发400层以上的Xtacking 5.0。然而，HBM（高密度内存）的生产面临着更大的挑战，例如颗粒管理和翘曲控制，因此良率控制将成为未来的关键因素。