9 月 29 日，SK 海力士半导体（中国）有限公司存储半导体四期项目完成备案，总投资 100 亿元人民币。该项目利用无锡现有厂房，引进先进设备实现技术升级，生产工艺提升至 10 纳米级 12 英寸晶圆，建成后整体月产能将达 20 万片，成为全球最大 DRAM 单一生产基地。

据江苏省发改委公示，项目聚焦车规级和 AI 服务器存储芯片，产品良率目标达 98.5%。SK 海力士无锡工厂自 2005 年落户以来累计投资超 200 亿美元，此次扩建后将实现 NAND 闪存与 DRAM 双线扩产。值得关注的是，项目采用自研的 "低碳制造工艺"，能源消耗较上一代降低 40%，废水回收利用率提升至 95%。

该项目将强化中国在全球存储芯片供应链地位，目前 SK 海力士在中国市场 DRAM 份额已达 18%。随着 AI 服务器存储需求激增（单台 AI 服务器 DRAM 需求是普通服务器的 8-10 倍），此次扩产将直接受益于国内 12 个新建超大型数据中心项目。