经过群里的朋友提醒，关注到存储芯片的一个重大突破。

比传统闪存快100万倍的理论有望成为现实。

你没看错，不是100倍，而是100万倍。

昨天，复旦大学团队发布了全球第一颗二维硅基混合架构闪存芯片，相关研究成果已于10月8日在《自然》期刊发表。

目前速度最快的闪存是1-30纳秒，他们半年前推出破晓皮秒闪存器件，速度达400皮秒，比传统闪存快100万倍。详解图三，不知道怎么计算出来的。

现在又往前迈一大步， 突破在于，他们首次解决了新型二维器件工程化的难题。研究成果全称叫：全功能二维硅基混合架构闪存芯片。

相当于把二维超快闪存跟成熟硅基CMOS工艺结合在一起。芯片封装好了，还带PCB板。

颠覆性器件从理论要实际应用是个长跑。硅基芯片从1947年晶体管诞生，到第一颗CPU，花了二十多年。

二维电子学备受关注。但大家最担心从实验室到工厂的问题。

团队探索了5年。在单个器件和集成工艺上攻关。第一项集成工作2024年在自然电子学发表。在原生衬底上实现二维良率突破。

CMOS表面像微缩城市。高低不平。二维材料薄如蝉翼。直接铺上去容易破裂。

团队不改CMOS而是适应它。用模块化方案。先分开制造二维存储和CMOS。然后用高密度互连集成。

团队负责人刘春森说，“一旦成功，可以快速实现集成突破，同时赋能已有产业。”

他们已跨过最难一步。下一步就是建基地合作。

随着大模型的参数规模越来越大，AI时代瓶颈终将会从算力转到存储。

投资方说这是颠覆性进步。

没错，可以说这是中国集成电路的源技术。

我们已掌握下一代存储主动权。