复旦团队成功研发新型闪存芯片：全球首颗，突破AI存储瓶颈

复旦大学周鹏-刘春森团队再获突破，成功研发全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，相关成果于10月8日发表于《自然》期刊，标志我国在下一代存储核心技术领域掌握主动权 。

这款基于“长缨（CY-01）”架构的芯片，创新性融合“破晓（PoX）”二维超快闪存与成熟硅基CMOS工艺。团队通过“分离制造-互连集成”方案，解决了原子级厚度二维材料与CMOS衬底贴合的世界级难题，芯片良率超94%。其存储速度达400皮秒，功耗较传统闪存降低60%，存储密度提升3倍以上，性能优势显著。

该突破直击AI与大数据时代的“存储墙”痛点，无需改造现有产线即可推进商业化。团队计划3-5年内实现兆量级集成，未来将赋能消费电子、数据中心等场景，为600亿美元存储市场带来变革 。#复旦团队成功研发新型闪存芯片##中长视频流量扶持计划##秒懂热点就用智搜# http://t.cn/AXzI62M0 http://t.cn/AXzxUBDE