【中银电子】CBA+3D WoW：后EUV时代中国DRAM曲线升级的关键机会

[太阳]当前主流DRAM发展技术包括：
1）EUV主导的平面尺寸微缩：1x/1y/1z→1a/1b/1c/1d→/0a/0b/0c；分别对应0~1→1~7→≥8 EUV layers。
2）刻蚀+沉积主导的3D化：6F2→6F2+CBA→4F2+CBA。

[太阳]#CBA技术或释放外围逻辑电路CMOS代工机会。受EUV技术禁运限制，中国厂商积极推动3D DRAM技术发展。CBA（CMOS Bonded Array）将存储阵列和外围逻辑电路分置于两片Wafer上独立制造，再通过W2W技术键合（类似于YMTC的Xtacking技术）。理论上20+nm 6F2+CBA DRAM可以实现等效于10+nm 6F2平面DRAM密度的性能。基于技术成熟度、效率、成本等因素的考量，中国存储厂商或积极推动外围逻辑电路外包给Fab厂生产。

[太阳]#3D+WoW近存计算或于端侧AI领域弯道超车。DRAM内部技术架构升级的同时，终端、SoC和存储厂商也在积极探索外挂式SoC/NPU+DRAM的3D WoW解决方案以实现端侧AI对更大带宽传输的需求。自动驾驶/智能手机等相关领域或有望在2026/2027年看到相关解决方案推出。

建议重点关注：
【CBA DRAM CMOS 代工】晶合集成、华虹公司、中芯国际；
【3D WoW DRAM 设计】兆易创新；
【3D WoW DRAM 封测】汇成股份。