【英伟达推出800VDC架构与白皮书 氮化镓与固态变压器成焦点】
在10月13日开幕的2025 OCP全球峰会上，英伟达发布了面向未来AI数据中心的800V高压直流（800VDC）电源架构，并同步发布白皮书，阐述其“AI Factory”愿景。

据悉，在最新的Vera Rubin GPU平台与Kyber系统架构中，英伟达将首次采用800VDC供电体系，使单机柜功率从传统的200kW提升至1MW，为“千兆瓦级AI工厂”奠定能源基础。

相比传统54V架构，800VDC可将电流降低15倍以上，大幅减少铜损，同时使布线更轻、更高效。白皮书指出，在未来兆瓦级AI系统中，传统硅器件的效率与热管理已接近极限。要在有限空间内实现更高算力密度和更低能耗，必须采用能在高电压、高频率下运行的新型功率器件。

因此，氮化镓（GaN）成为800VDC架构中的关键技术，也是该方案的核心组成部分。白皮书还提到一个重要的行业分歧：在实现高效供电的路径上，中压整流器被视为当前可快速部署的重要选择，而固态变压器技术同样具有很强的竞争力。

在固态变压器领域，国内产业链已从关键技术验证阶段进入初步商业化应用，中国西电、新特电气、四方股份等多家上市公司均已展开相关技术布局。（21财经）