晶边刻蚀（Bevel Etch）是半导体制造中的关键工艺，专指针对晶圆边缘区域的刻蚀处理，旨在去除边缘处不需要的薄膜或结构，以降低缺陷风险、提高产品良率。随着技术节点不断缩小，晶圆边缘处理已成为影响半导体制造良率的重要因素之一。而且，晶边刻蚀（Bevel Etch）主要分为湿法刻蚀、干法刻蚀和激光刻蚀三类方法。湿法刻蚀使用化学溶液（如HF酸去除氧化层、H3PO4刻蚀氮化硅）通过局部喷淋边缘进行反应，具有反应时间短、成本低的优点，但需严格控制温度并处理废液。所以，晶边刻蚀（Bevel Etch）技术通过优化蚀刻液回渗路径，减少气体阻力，显著提高了蚀刻效率。无需额外使用光阻层，简化了工艺流程，降低了生产成本。同时，该技术有效解决了晶片边缘剑山断裂导致的污染问题，减少了芯片受损风险，提升了成品合格率。其灵活的工艺设计适用于多种晶片边缘处理需求，为半导体制造多样化提供了支持。