#光刻胶#
日本经济产业省在2025年10月9日更新了出口管制“最终用户清单”，新增了多家中国半导体及AI领域企业，总数达到约110家左右。这些新增实体主要涉及先进半导体制造和相关技术领域，重点针对光刻胶、高纯度氟化氢等关键材料和设备出口。
新实施了针对EUV（极紫外）和DUV（深紫外）光刻胶的“三锁政策”（锁流程、锁时效、锁渠道），包括强制缩短保质期和禁止第三方转口贸易。
在这件事的背后我们能看到美国的影子。

关于光刻胶我是一直比较清楚的。
2019年，日本对韩国祭起光刻胶大杀器，让韩国非常被动，而且还掀起了反日货的民粹主义大游行。韩国从国家到企业纷纷投资，发誓搞出自己的先进光刻胶。不过科技和情绪毕竟不是一回事，如今近7年过去了，仍只解决了中低档部分，14纳米芯片以下的光刻胶仍然严重依赖日本。
以韩国东进公司为例，号称成功研发了EUV光刻胶。但“突破”和大量生产是两回事。2024年，韩国仍然进口了90%+的EUV专用光刻胶。而东进的光刻胶多用于14纳米的芯片生产。
在芯片方面，主要是下面两个产品受控于日本：
高纯度氟化氢 (Hydrogen Fluoride)：用于芯片制造中的刻蚀工艺。
高纯度光刻胶 (Resists/Photoresists)：用于将电路图案转移到晶圆上。
这两种产品都涉及高纯度方面。

到目前为止，不论台湾、韩国还是英特尔，所有的EUV光刻机只能依赖日本光刻胶。我国没有EUV光刻机，自然没必要购买高纯度光刻胶。但是在中端光刻胶方面可能我们还需努力。特别是我国用DUV生产7纳米芯片，更要求纯度很高的光刻胶。
我国的情况：ArF光刻胶：用于45-28纳米甚至14纳米制程。这是国产攻关的重点和难点，目前仍处于早期验证和小批量供货阶段，国产化率很低（低于1%）。

我国光刻胶发展的路还很长，希望我国的企业扎扎实实地研发。说句不中听的话：不要咋咋呼呼，刚发个芽就描述成参天大树；完成一个种类就描述成完成了全部。脚踏实地，实事求是最重要。