你发现没？今年存储赛道不再是“底部抄赌运气”，而是“缺口+结构升级”的双轮驱动。上游稼动率刚从“保守档”抬头，下游AI+手机旺季齐发力，价格拐点更清晰。简单记三个关键词：供需修复、技术分层、HBM放量。

先看基本盘。DRAM格局仍是三星41%、海力士27%、美光26%，长鑫约6%。DRAM稼动率82%，已回到“正常区间80%-85%”的下沿，对提价友好；NAND在78%-80%，去年起去库见效，原厂曾计划把稼动率拉近90%，但会“有节奏”避免重演22-23年价崩。终端里，手机占35%且Q4传统旺季；服务器占30%且增速最快；车载高增但占比仅3%；PC、IoT偏弱。价格端，DDR5颗粒在6.0-8.5美金，PC端UDIMM 8GB/16GB分别约15/27美金；手机LPDDR4的12GB约33美金。NAND侧，1TB QLC晶圆5.5美金、TLC 6.2美金，UFS2.2 64GB约5.3美金，渠道SSD合约价仍低于现货，结构性偏紧没变。国内技术代际上，长鑫正从D1V(≈16nm)向D1α(≈14nm)推进，与海外差距约1.5-2代；长江存储已在V8(232层)量产、向V9推进，凭Xtacking在NAND侧差距更小。

核心看两条线：HBM与扩产。HBM和AI是“充分必要关系”，AI服务器单机HBM容量从320GB到640GB起跳。2025年三家合计月产能目标约47万片，较当前32.6万片再扩约15万片/月；价格预计稳中小降5%-10%，更多靠良率与封装升级消化成本。封装工艺上，海力士走MRBump效率高、翘曲难；三星/美光走TCBump良率高、效率低——随着带宽继续上探，最终都要切到hybrid bonding。DRAM/NAND常规线方面，2025年海外+国内计划合计扩产约30万片，但对应需求增量DRAM约45万、NAND约50万，供给仍偏紧，预计涨价延续到明年Q3，Q4大概率持平。结构性需求里，推理与端侧扩容更“吃DRAM”；冷数据向温/热数据转化+HDD谨慎扩产，抬升ESSD渗透，NAND高bin更吃紧。

说白了，存储这轮不是“纯宏观复苏”，而是“量紧+高端化”的双驱：上游稼动率温和上行、库存低位，叠加AI/手机旺季与ESSD放量，价格中枢抬升更有底；技术层面HBM与3D堆叠定价权上移，国内DRAM追代、NAND靠架构创新追差距。投资跟踪就看四件事：稼动率、库存周转、终端订单结构、原厂CAPEX节奏。只要供需缺口未被快速填平、HBM/ESSD持续放量，这轮存储行情就还有“结构牛”的续航力。