北京大学科研团队取得突破性进展，首次通过冷冻电镜技术解析光刻胶在显影液中的微观三维结构。这项研究揭开了长期困扰芯片制造的光刻缺陷形成机制。
研究团队发现，光刻胶聚合物在液相中会吸附在气液界面并形成缠结团聚，这些纳米级团聚物正是导致电路图案缺陷的关键因素。基于此发现，团队提出两种创新工艺方案。
实验证明，结合优化后的烘烤温度与显影工艺，12英寸晶圆上的光刻缺陷数量可降低超过99%。这项突破为7纳米及以下先进芯片制程的良率提升提供了关键技术支撑。