【存储技术迭代无止境？巨头纷纷押注HBF “HBM之父”也看好】《科创板日报》11月1日讯 随着AI推理市场迅速增长，存储行业逐渐步入“后HBM时代”——不仅三星、SK海力士等存储巨头纷纷推进第六代HBM，更有全新技术如HBF正“虎视眈眈”，试图参与到这场AI存力竞争的浪潮中来。

综合Digitimes、韩国Financial News等媒体报道，三星、SK海力士、闪迪等存储厂商正纷纷投入HBF技术的研发。在前不久举行的2025 OCP全球峰会上，SK海力士推出了名为“AIN系列”的全新产品线，其中就包含HBF。在此之前，该公司与闪迪签署了一项谅解备忘录，并表示双方将共同制定HBF技术规范。

HBF，全称High Bandwidth Flash，即高带宽闪存，其结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，虽然NAND闪存比DRAM慢，但它提供了大约10倍的容量，这对于支持下一代AI可能至关重要。