半导体行业机构核心观点更新
1、AI算力驱动半导体设备需求增长
需求传导与设备受益逻辑: AI算力需求从终端向半导体设备传导：终端需求传导至上游晶圆厂或存储厂，推动半导体设备受益于AI算力扩产周期。近期存储市场涨价拉高关注度，常规DRAM、SSD及利基存储均涨价。终端大厂积极扩产，推升整体capex，拉动存储及逻辑相关订单增长。预计2025年全球半导体设备总销售额达1255亿美元，创历史新高，主要驱动力为人工智能相关的先进逻辑和存储端产能扩张。
全球及国内扩产主体: 全球扩产主体中，逻辑端以台积电为主进行资本开支扩展；存储端包括三星、海力士及美光，均持续进行产能升级或扩产。这些主体的扩产行为直接拉动设备订单需求。
国内晶圆厂投资预测: 国内12英寸晶圆厂2026 - 2028年预计投资940亿美元，制程进步将拉动逻辑领域对光刻、薄膜沉积等设备需求，HBM带动PCB、混合键合、TSV光刻等设备工艺需求，NAND和DRAM增加对先进沉积或光刻设备需求。制程节点方面，55纳米及以上成熟节点产能年增速约4%；22 - 40纳米主流节点产能年均增长率预计达26.5%，28纳米制程节点仍有晶圆厂投产扩张。13纳米及以下先进节点当前卡在良率提升，2026年或有多家厂商扩产。全球产能占比上，国内主流节点产能占25% - 30%，先进节点产能占比不足10%，提升空间大。
2、存储市场动态与需求分析
存储产品涨价与技术迭代: 主流大厂对DDR4减产，致使2025年DDR4价格持续上涨，消费终端（如手机等）采用DDR4型号持续消耗库存，进一步助推其涨价，涨幅超DDR5。技术上，三星、海力士和美光已完成DDR6原型芯片设计，2026年新处理器或支持DDR6。当前主流从DDR4向DDR5转变，但过渡不平稳，市场对DDR4沿用需求因库存不足无法满足，涨价传导至消费终端。目前，DDR5将完成对DDR4的替代，但短缺持续，国内存储全球市场份额或明显提升。
AI服务器对存储的拉动: 服务器及数据中心对DRAM需求持续增加，数据存储、处理及云计算服务等领域内存升级换代、容量扩大，推动云服务提供商和数据中心运营者增加DRAM采购。未来3 - 4年，AI服务器出货量保持高复合增速，单台存储量为普通服务器3 - 4倍。AI服务器领域预计增加约20亿GB的DDR5需求，相当于全球DDR5月产量1.5倍，需求旺盛且有产能缺口，需国内外厂商跟进。
多类型存储产品需求预测: 除先进DRAM外，常规HDD因价格低，可存储非高频使用或训练数据；SSD随大模型训练需求增加而需求上升。DRAM、NAND、SSD、HBM未来2 - 3年增长率预计超15%，部分领域增速更快，整体呈现海量存储需求增长趋势。
3、先进制程技术演进对设备的影响
3D NAND技术演进与工艺要求: 3D NAND技术层数持续增加，长远看或迭代至500多层甚至上千层。二维平面上，先进存储技术逼近约7纳米的物理极限，需新结构、新材料延续微缩。转向3D堆积架构可规避制程极限，这对深孔刻蚀和介质沉积控制要求更高，需挖更深孔、精密控制薄膜沉积，增加刻蚀和沉积工艺轮次。层数增加使沉积和刻蚀流程大幅增加，采用易构建和DRAM工艺，需相关晶圆建和设备。
HBM发展对设备需求的拉动: HBM需求持续增加，国际主流为HBM3E，即将推出HBM4；国内进展滞后，扩产周期晚，但需求明确。HBM拉动晶圆减薄、CMP、刻蚀、金属填充、晶圆堆叠等设备需求。键合技术分TCB和混合键合，TCB国内厂商布局少，主流供应商有ASNPT、BASIC、韩美等；混合键合供应商更少，相关公司陆续推出产品。混合键合适用于HBM4以上产品，未量产，优势是提升良率、增加数据带宽、减少信号损失和延迟、提升散热效率、提高空间利用率、实现小型化高性能封装，但单机价值高，增加CAPEX成本，预计HBM4及后续产品价格上涨。从性价比看，HBM3及主流产品用TCB技术，未来两种技术将共存。
4、半导体设备采购限制与国产化趋势
半导体设备采购限制现状: 美国对中国半导体设备采购有限制，此前提到的对穿透50%股权子公司设备采购的限制暂缓，但此前限制有漏洞。国内仍能采购约400亿美元尖端芯片制造设备，比限制出台前增加近66%，涉及英材、范林等头部企业，中国采购量在这些公司销售额中占比近40%。虽暂无更强限制，但相关方提议实施更广泛限制并加强盟友协调。
半导体设备国产化趋势: 长期看，科技自立自强是主题。部分产品已有一定国产化率且客户认可高，可随扩产放量；部分产品国产化率低，但因对标美系设备有去美化需求。随着先进逻辑扩产和存储企业IPO上市，厂商或增加国产化比例要求，当前是国产化率拐点，有望快速提升。
5、半导体设备国产化趋势与投资建议
海外限制与国产替代机遇: 海外对存储及先进算力芯片的采购限制持续，获取最高端AI芯片或最先进存储需依赖自身产能，外部采购仅能获得非最先进产品。海外存储供应紧张及最高端芯片禁售为国内厂商抢占份额提供市场机遇。长期来看，长存破产及国内散热芯片陆续IPO报批上市将进一步大幅增加整体市场需求。从设备环节看，课时沉积设备用量将大幅增加，相关设备公司订单受益，如拓荆、中微等公司持续受益于存储扩产的高确定性，且从2025年订单维度看，其存储敞口比例更高。
低国产化率环节突破: 前道量检测是国产化率较低的环节，国内每年市场规模约700亿，其中科磊年销售额约450亿，国内上市厂商净收入合计不足40亿，整体国产化率低于10%，先进制程环节国产化率更低。当前阶段，部分厂商推出的产品处于量产前验证中，先进制程产品持续研发迭代，有望在2025年或2026年实现市场突破，此类设备突破对国产化率提升及技术验证意义重大。检测技术分支包括电子束、超声、光学等，光学领域布局公司有精测电子、中合菲测；电子束领域主要为精测电子；超声检测主要为叫成超声；光眼模板缺陷检测领域主要为维普。各分支市场容量大，竞争缓和，处于产品优劣及量产化竞争阶段，未到价格竞争阶段。后道测试市场规模约200亿，其中基础/模拟等常规测试占30%，SOC测试机占40%，存储测试机占30%。国内SOC和存储测试机此前国产化率极低，2025年陆续实现突破，相关公司业绩表现良好。存储测试领域，金溢达有明显突破，预计随2026年两层扩产，订单将进一步增长；SOC测试领域，长川、华峰有布局，2025年出货量有望增加，与国产芯片相关的测试机处于解决方案测试阶段，若进展顺利，批量订单或于2026年下达。存储测试市场空间约六七十亿，SOC测试市场空间约80 - 90亿，国产化带来的收入或订单弹性较大。
平台化设备厂商布局: 部分厂商向平台化发展，拓展设备覆盖面及品类。北方华创高度覆盖司法设备，并购StarV完善物理、化学清洗设备及涂胶显影设备布局，2025年进军离子注入设备市场并发布多款产品、取得订单。中微从离子刻蚀、工程机设备拓展至量检测设备，产品可满足高端存储需求，国产化空间大；设立超公司开发电子束检测设备，旗下瑞利持续发力拓展产品品类及市场空间。设备采购存在整线采购趋势，以保证产线良率及设备匹配性（前后联机、接口、软件均一性），平台化公司提供整套设备具备竞争优势。长期看，国产化率已有一定水平的公司订单增长潜力大，低国产化率公司迎来国产化率或收入提升拐点，预计2026年订单及收入表现更好。
6、行业前景与关注节点
长期发展与催化因素: 半导体产业是科技自立自强的重要构成部分，科技发展离不开半导体的支撑及工艺的先进迭代。因此，半导体设备板块值得推荐，布局时建议关注新技术、新变化及最具弹性的环节。后续需掌握的关键节点包括：长存上市的进一步进展，国内算力芯片厂商及封测大厂的新业务布局与产品拓展，以及国内设备公司验证结果的进展和新订单的取得。这些利好或催化因素将推动板块发展。若想进一步了解个股或具体环节，可联系民生机械团队，团队后续将对其他环节进行拆分分析。
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