锗材料实现超导突破，兼容现有工艺助力量子器件开发

平时造芯片常用的锗材料，如今添了“超导超能力”——能在零电阻状态下让电力无损耗流动。这可是科学家们盼了很久的突破，毕竟想让硅、锗这类传统半导体具备超导性，一直是块难啃的硬骨头。

实现突破的关键是给锗“掺”点镓。研究团队用分子束外延技术，把镓原子精确嵌入锗的晶格中，这种方法能做到原子级的精准控制，即便高浓度掺杂让晶格轻微变形，材料依然稳定。不过这股“超能力”得在低温下才显现，大概-269.7℃时就能进入超导状态。

更重要的是，锗本来就是芯片制造的常用材料，这项技术能直接兼容现有工厂的生产流程。它能搭建起超导与半导体的“清洁界面”，不仅帮着开发下一代量子器件，还能用于低功耗电子设备和高灵敏度传感器，给量子技术实用化踩了一脚“油门”。

资料参考自：中国科技网
图片来源于：中国科技网

#具有超导性能的锗材料制成#