#龙科多聊芯片# 一块CIS芯片分为好几层，包括微透镜、颜色过滤器、金属布线层、感光层。传统工艺采用“前照式”工艺，就是按照前面所说，依次堆栈icon上面几层结构，操作虽然简单，但注意了，感光层位于最下方，没法高效接受光线。

2009年，索尼搞了个“背照式”工艺，将感光层放在金属布线层上方，接受更多的光线直射。2011年，苹果发布的iPhone4Sicon，就采用了索尼的“背照式”CIS芯片。

“背照式”工艺后，索尼又更进一步，在2012年研发出“堆栈式”工艺，之前感光层、电路层都在一块基板上，现在呢，感光层与电路层独立制造，然后再精密封装，成为整体。这样做的好处，两层芯片可以按照最适合自己的工艺，进行设计、制造。如今，索尼在CIS领域的地位，正是靠这些创新工艺支撑的，获得先发优势。

最近，国产CIS芯片厂商思特威，对外宣布，推出2亿像素0.61um像素尺寸CIS芯片SCC80XS，面向超高清手机拍摄，更重要的是，采用22nm堆栈式工艺，听起来好像不起眼，但在性能上却看齐了全球最强的索尼。

一方面，是因为其像素确实拉的很高，之前也只有三星做过。另一方面，也是更关键的点，这款芯片采用了22nm堆栈式工艺。为啥关键呢？因为CIS芯片不讲究几纳米，22nm已经是先进水平了，索尼最先进的产品，也是22nm左右；在22nm基础上，搞定堆栈式工艺，其实是直接对标索尼最新工艺。