内存厂华邦电（2344）今召开线上法说会，总经理陈沛铭表示，DR­AM第四季平均售价与出货量将会有更大幅成长，因结构性供应缺口，有的客户一谈需求就长达6年，供不应求正推动DDR4、DDR3合约价持续上涨，涨势预期延续至2026年，甚至2027年也供应不足; NOR闪存与SLC NA­ND价格也预期续上涨。 华邦电因应持续强劲的营运动能，正进行扩产计划，预计2026~2027年资本支出将近新台币400亿元。
华邦电第三季存储器产品营收季增10.2%，毛利率达50.8%，较上季的12.1%季增39个百分点，陈沛铭表示，毛利率高的原因有一大部分来自库存重新评价，第四季这部分不多，但预期第四季营收会大幅成长，获利会努力维持跟第三季相近。
他强调，这波DR­AM结构性缺货跟以前不同，以前涨价可能6到9个月就结束，这次会持续多久，他无法判断，因还要看国际情势等因素影响，华邦电因应之道就是将16纳米制程良率与品质做到最好，国际大厂难以将先进厂回头做DDR4。
陈沛铭指出，快闪存储器方面，基于原物料成本上升及终端需求回温，NOR闪存价格自2025年第3季起上涨，预期将续上涨; SLC NA­ND的供给在接下来几个季度仍将维持吃紧，预估也将推升价格进一步上涨。 成长动能来自车用、笔电、服务器、TWS等。
DR­AM产品线方面，陈沛铭表示，结构性供应缺口正推动DDR4与DDR3合约价持续上涨，涨势预期延续至2026年，伴随主要大厂逐步退出DDR4供给，现有产能不足以满足市场长期需求; 供需失衡状态将使现有供应商受益，需求成长来自智能家庭、无人机、M2M、网通; 消费性的电视产品需求也健康。
针对整体市场，陈沛铭说，全球经济逐步复苏，并带来新的商机，美中角力持续，需聚焦于供应链重组与策略规划，AI热潮正持续推动记忆体上行循环。 华邦营运继第三季转亏为盈，正展现持续强劲的营运动能，高雄厂16纳米制程DR­AM已完成试产前准备，约增加60%产能，8Gb DDR4/LP­D­DR4 产品线预期2026年量产，闪存约扩增20%; 预估Fl­a­sh与DR­AM扩产计划正进行中，2026~2027年资本支出将近新台币400亿元; 边缘AI的CU­BE项目进展顺利，预期于2027年会有显著贡献。