中科院金属所新研究出的“闪速退火”工艺，简直是材料界的“秒速魔法”——一秒钟就能在硅晶圆上造出高性能储能薄膜，比传统工艺快到飞起！
传统退火又慢又坑，晶粒容易长粗、元素还会挥发，而这新工艺升降温速率飙到每秒1000℃，瞬间把锆酸铅材料的高温特殊结构“冻”在室温，形成不到3纳米的纳米微畴，这可是储能效率的关键密码。
更绝的是它还解决了老毛病：薄膜致密均匀，能锁住易挥发的铅元素，缺陷少、漏电流低，储能密度飙到63.5焦耳/立方厘米，比传统的高出一大截。而且超耐造，从-196℃极寒到400℃酷热，性能衰减不到3%，深空、高温井场都能hold住。
现在2英寸硅晶圆上已经能做出均匀薄膜，操作简单还能规模化，给芯片级储能提供了靠谱方案，还能让其他铁电材料性能翻五倍。这成果登了《科学进展》，未来新能源汽车、高功率电子设备都能用，中国科研团队这波真的太顶了！ http://t.cn/AX2mHz7C