交易者简放 25-11-28 22:00
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TrendForce集邦咨询最新发布的存储现货价格趋势报告显示,DRAM方面,DDR4与DDR5颗粒的现货价格已经大幅上涨。自九月初至今,DDR4 1Gx8颗粒价格环比上涨158%,DDR5 2Gx8颗粒现货价环比大涨307%,这使得买方难以追价,因此交易量进一步萎缩。然而这并未改变当前DRAM市场的强劲前景。NAND闪存方面,由于供应极度紧张,现货价格持续上涨,报价每日都在波动。

国金证券研报表示,存储器是半导体中仅次于逻辑的第二大细分市场,其历史表现与整个半导体周期走势一致,但波动性大于整个行业,大市场与强周期属性并存。通过复盘发现,每轮存储大周期的开启都是由新兴技术推动产品升级和创新,进而催生新产品的总量、渗透率和存储器价值量的提升,推动存储器市场规模上升一个台阶。随着AI驱动需求提升,当下正走在新一轮存储大周期的起点。

里昂证券韩国研究主管拉纳(Sanjeev Rana)此前在三星发布财报后评论道:“所有与内存相关的产品,无论是先进制程还是传统品类,需求均极为强劲,而供应明显滞后。我们预计,DRAM 与 NAND 价格的此轮上涨周期将持续多个季度。”

交银国际发布研报,维持对存储价格将继续坚挺的判断,认为DRAM的强劲价格将至少延续至2026年三季度,并预计NAND价格将继续保持强劲到至少2026年三季度(之前预计为2026年上半年)。

长城证券表示,此次NAND Flash的价格大幅增长,一方面源于头部存储厂商通过主动调控供应来扭转此前因供过于求导致的价格低迷局面,从而提升盈利能力;另一方面,受AI对储存容量需求急速攀升的影响,存储厂商将更多产能转向更高阶的工艺,造成传统消费级存储产能受到挤压。#a股# #今日看盘[超话]#

发布于 山东