#日媒摘读##日本産業#【半導体】日本经济产业省12日宣布，该省管辖的产业技术综合研究所（产综研）将在北海道千岁市新建最尖端半导体的研究开发基地。导入精密化研究所需的制造装置，供企业和研究机构使用。该市拥有旨在实现电路线宽2纳米（纳米为10亿分之1）的次世代半导体量产化的Rapidus研究和制造基地。

该研究基地力争从2029年度开始运转。经产省在25年度最初预算中计入设施建设费用。基地计划引进最新设备进行世界最先进的半导体研究开发，包括设备在内的维修费用预计将超过1000亿日元。本年度补充预算案也增加了988亿日元。如果成功，将引进半导体电路微细化中不可缺少的最尖端极端紫外线（EUV）曝光装置。

经产省希望通过与以Rapidus为首的国内外企业和研究机构广泛合作，加强日本半导体领域的竞争力[并不简单]。经产大臣赤泽在12日内阁会议结束后的记者会上表示：“今后的时代，随着生成AI的普及，半导体的需求将在全球范围内不断增加。我们希望通过对该领域的投资实现经济增长。”