谷歌在OCS（光电路交换）领域的MEMS技术路线正从传统硅基向半绝缘型衬底的碳化硅方案演进，核心是为了适配其TPU集群和AI大模型训练的超高算力需求，突破硅基MEMS在极端场景下的性能瓶颈。

谷歌目前的OCS系统主要采用硅基MEMS微镜阵列，虽已实现微秒级切换速度和低功耗优势，但在支撑万亿参数大模型训练的超大规模TPU集群时，硅基材料面临高温稳定性不足、抗辐射能力弱、机械寿命有限等问题。而半绝缘型衬底的碳化硅（SiC）拥有宽禁带、高击穿场强、高热导率的特性，其抗辐射能力是硅的100倍以上，还能在-60℃~180℃的极端温度下稳定工作，恰好匹配谷歌数据中心高功率芯片的散热需求和太空级星载设备的应用场景。

此外，碳化硅基MEMS微镜的机械耐磨性是硅基的50倍以上，能承受10¹⁵次以上的开关动作，满足谷歌OCS系统20年以上的长期稳定运行要求，这也是硅基方案难以企及的优势。不过目前谷歌仍以硅基MEMS方案为主力，碳化硅方案尚处于试点和技术验证阶段，主要用于高端场景的性能优化。