HBM内存的TSV硅通孔工艺当然需要用光刻胶。。。。
第一步，准备一块硅基底
第二步，用热氧化或PECVD制备一层二氧化硅
第三步，在二氧化硅层上涂布光刻胶（（（（光刻胶在这里在这里用））））
第四步，掩膜，光刻
第五步，二氧化硅刻蚀
第六步，通过DRIE实现微米级孔径结构
第七步，清洗光刻胶，剥离阻焊层
第八步，沉积绝缘层和阻挡层：化学气相沉积二氧化硅和钛或钽，及种子层的铜
第九步，镀铜
第十步，对覆盖层化学机械抛光。
硅通孔工艺结束，后续是在TSV基础上完成完整的封装。
下图来自于SK海力士官网