东北昇腾950会议要点
1.昇腾950芯片结构与性能对比
昇腾950采用四die合封结构：包含2个计算die、2个IO die，通过Co­W­oS-L方式连接；上下各搭载4个华为自研的存储单元（暂称HBM），存储单元通过ABF载板走线与计算die连接，而非Co­W­oS形式。
昇腾950与910C的结构差异：910C为2个910B拼接，计算die集成IO部分；昇腾950将IO拆分为独立die，计算die面积小于910C，因此昇腾950的FP16算力（800 TF­L­O­PS）弱于910C，FP8算力约1 PF­L­O­PS（1000 TF­L­O­PS）。
昇腾950系列内存性能规划：
950 Pro（明年推出）：内存等效HBM2E水平，采用第一代自研HBM（代号“白露”，明年上半年推出），单堆叠容量16GB、带宽204GB/s，共8个堆叠。
950DT（明年下半年推出）：内存等效HBM3性能，采用第二代自研HBM（代号“朱雀”），若为6个堆叠则单堆叠容量24GB、带宽683GB/s。
昇腾系列与英伟达芯片的对标：
昇腾910C与H100性能相当：综合互联带宽、算力、内存指标，两者性能接近（H100为2022年推出产品）。
昇腾950-970分维度对标英伟达B系列：
互联带宽：昇腾950达到2TB/s，接近B200的1.8TB/s；
算力：2028年推出的昇腾970在相同精度下与B200算力相当；
内存：后年推出的昇腾960内存带宽达9.6GB/s、容量288GB，与B系列相当。
2.昇腾950芯片die面积与产能分析
核心die面积数据：
单个计算die面积约400平方毫米出头，2个计算die总面积超800平方毫米；
单个自研存储单元（HBM）堆叠面积超150平方毫米，8个堆叠总面积超300平方毫米；
单个IO die面积超100平方毫米，2个IO die总面积超200平方毫米。
产能测算逻辑：已知各die面积后，可结合良率计算单wa­f­er产出die数量；投资者若需定量结果，可联系东北电子团队。
3.华为自研存储单元（HMC）与HBM的对比
华为自研存储单元的本质：华为自研存储单元并非传统HBM（需通过中间层与GPU直接互联），而是定制化HMC（混合内存立方体），类似苹果M Ul­t­ra芯片的定制化LP­D­DR5方案。
HMC与HBM的核心差异：
架构与互联：HBM通过in­t­e­r­p­o­s­er（中介层）与计算die高密度集成；HMC通过ABF载板连接，物理距离更远。
性能表现：HBM带宽更高（至少1024个通道）、时延更低；HMC带宽高于DDR但低于HBM，时延更高。
成本与功耗：HBM因需in­t­e­r­p­o­s­er导致成本更高、功耗更低；HMC无需in­t­e­r­p­o­s­er，成本更低，但对ABF载板线宽线距要求更高，功耗密度弱于HBM。
华为选择HMC的原因：海外采购高端HBM（如HBM3E、HBM4）受限，采用定制化HMC可实现产业链自主可控，同时适配国内制程与封装能力。
4.国产HBM产业链受益方向
存储颗粒与封装环节：
存储颗粒由华为关联国产厂商制造；
八层/六层堆叠封装能力可由多家厂商实现（如江浙沪、福建、东莞等地的封装厂）。
核心设备环节：
刻蚀设备：多层堆叠需高精度刻蚀，刻蚀环节显著受益；
键合设备：3D堆叠中键合环节价值量占比高，国内仅少数厂商具备键合设备供应能力。
封装材料环节：
环氧塑封料：国产HBM放量将带动其用量显著增加；
其他材料：Bu­m­p­i­ng焊球、Un­d­e­r­f­i­ll（底部填充胶）、电镀液等材料需求提升。
载板环节：HMC通过ABF载板与计算die连接，利好ABF载板厂商。
市场需求预期：2026-2027年是国产HBM放量元年，明年国产GPU出货量大增将带动HBM需求释放（如昇腾950单颗搭配8个HBM，100万颗对应800万颗HBM需求）。
推荐关注:
先进封装:通富微电，甬矽电子，盛合晶微，长电科技等
设备: 拓荆科技，中微公司等。
材料: 华海诚科（环氧塑封），德邦科技（Un­d­e­t­f­i­ll），艾森股份（电镀液），华正新材（ABF材料），兴森科技（ABF载板）等。