表面上缺存储，实际上，洁净室资源不足正成为存储芯片扩产中最大的瓶颈。

“AI服务器需求爆发，但存储芯片的扩产瓶颈根本不是需求，而是物理学。”一位三星晶圆厂负责人指出。高带宽内存（HBM）生产消耗的晶圆产能是标准DRAM的三倍，且对生产环境要求极为苛刻，导致全球洁净室资源被高速吞噬。

2025年底，SK海力士计划将DRAM产能提升至当前八倍，这一宏大目标面临现实制约：月产能从2万片晶圆跃升至14万片，核心瓶颈在于洁净室资源。

随着AI推动存储需求结构性转变，洁净室已成为全球存储战争中最稀缺的战略资源。

01 物理瓶颈：为什么洁净室成为存储扩产的关键制约

建设一个半导体级洁净室需投入180亿美元，仅建筑部分就耗资20-30亿美元，而从决策到投产需历时数年。这种巨大的资本投入和长周期特性，使洁净室成为存储扩产中最难以快速突破的环节。

洁净室资源正被HBM大规模挤占。HBM由于采用复杂的3D堆叠结构，其生产所需洁净室空间是标准DRAM的三倍以上。三星、SK海力士和美光三大存储制造商正将大量洁净室资源转向更有利可图的HBM生产。

半导体制造对环境要求极为苛刻。晶圆生产区域的洁净度需达到Class 1标准，即每立方英尺大于等于0.5微米的灰尘颗粒不能超过1颗，比进行器官移植手术的手术室还要洁净100倍。这种极端环境需要精密的空气过滤系统和持续稳定的温湿度控制。

人力因素也成为洁净室管理的巨大挑战。人体是洁净室最大污染源，占发尘量的90%左右。工作人员即使穿着无菌服，躯体活动时的发菌量也可达到静止时的3-7倍。这意味着洁净室内人员操作规范直接影响芯片良率。

02 产业影响：定向扩产如何重塑存储市场格局

存储芯片市场的游戏规则已发生根本变化。到2027年，HBM在DRAM市场总价值中的占比将高达43%。这种高价值导向使制造商将洁净室资源优先分配给HBM生产。

SK海力士的扩产计划明显体现出这种“定向扩产”特征。其新增产能主要瞄准AI服务器和高性能计算用的新一代内存，如GDDR7和低功耗SOCAMM。普通消费级DRAM难以从这些新增产能中优先分到资源。

全球存储巨头纷纷调整战略。三星投入30亿美元加速平泽P4工厂建设，并将工期提前三个月，重点转向生产第四代HBM内存。洁净室资源的重新配置直接决定了各家公司在AI时代的市场地位。

存储芯片市场已从周期性波动转向结构性供应短缺。未来三年，这种由洁净室资源分配决定的供给侧格局将持续影响价格体系，HBM与普通内存的盈利差距会逐渐缩小但依然显著。

03 技术突围：洁净室资源优化如何推动创新

面对洁净室资源瓶颈，半导体产业正在多维度寻求突破。例如通过自动化物料存储和提取，最大程度提升现有洁净室空间利用率。

存储制造工艺也在不断进步。在可能达到扩展限制之前，浮栅技术还有两代半导体节点发展空间，通过提高当前晶圆厂的位输出，更好地利用现有洁净室产能。

三大DRAM厂商正加速推进10纳米以下工艺节点。三星计划最早于2027年完成9纳米产品的研发，SK海力士则积极布局高数值孔径EUV光刻技术，这些创新都旨在最大化每单位洁净室空间的价值产出。

晶圆厂通过自动化与智能化管理，显著降低对洁净室环境的依赖。自动化设备协同作业，构建高效的自动物料搬运存储系统，减少人员活动带来的污染风险。

04 未来展望：洁净室资源分配决定AI存储竞争格局

洁净室资源的战略配置将成为存储芯片厂商的核心决策。SK海力士在利川M16工厂安装全球首台用于DRAM生产的High-NA EUV光刻机，正是为在未来洁净室资源竞争中占据优势。

未来三年，洁净室建设速度将直接决定存储芯片供应格局。新洁净室从建设到投产需要数年时间，当前规划中的项目最早也要到2028年才能释放产能。这意味着至少到2027年，存储芯片市场将持续面临由洁净室资源不足导致的结构性供应短缺。

区域竞争态势也将受到影响。三星在美国泰勒工厂的建设，不仅是为了靠近客户，更是为了利用美国《芯片法案》的补贴政策，缓解洁净室建设带来的资金压力。

存储芯片行业正经历从消费电子驱动向AI驱动的历史性转变。在这一转变中，洁净室作为基础生产设施，其战略价值将不断提升，成为各国科技竞争的焦点领域。

存储芯片市场已从过去的周期性波动转向结构性供应短缺，这一趋势预计将延续至2027年甚至更久。工厂建设周期长、技术转换困难，以及HBM对产能的持续吞噬，共同构成了这场供给危机的物理基础。

随着AI对存储需求的持续增长，洁净室作为战略资源的地位将愈发凸显。全球存储芯片市场正在经历的不仅是一次价格波动，更是一场由洁净室资源分配决定的行业格局重构。