據說EUV要出來了，2025初完成了一台原型機，用EUV來製造晶片的時間官方是2028，不過知情人士表示這個時間點可能是2030。

http://t.cn/AXU9cvwF

2028-2030與之前流傳的消息似乎吻合，考慮到時間點你們看到的第一代EUV晶片應該會走N7+模式，首要工作不是用於縮小尺寸，而是取代M0/Fin 這最難做的、需要多重曝光的layer，拉高良率，M0-M4的via和中段的contact via大概也會有機會用EUV來做。

2028-2030有可能首先會看到N+4的EUV版晶片，我兩個推測：

（1）N+4應該會是G54H198，N+4還是會保持現在N+3 M0的30nm pitch但是縮減一根track來到最小的下限4根，因此可以支持cell height 從228縮小到198nm

（2）不會學跟Intel一樣用DUV SAQP+EUV cut來做，因為SAQP的限制和問題真的太多了，是真的沒人想用了，這是產業界共識….30nm pitch中芯大概會走EUV SALE2

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最後從RD階段就參與、而且目標是用於尺寸的縮小的EUV晶片應該會是下一代，所以如果以最快的目標官方設定2028可以用於製造晶片，那我猜流程應該會是：

2027 DUV版 N+4 （用於2028市面產品） —>2028 EUV版N+4 (2029市面晶片用到） —>2030 EUV版N+5 or 3nm晶片

感覺又跟Leptony1說的時間有點對的上 （原先說最快2027，上幾個月突然說有delay會晚一些[思考]但是N+3密度125這件事又讓人對他這個消息源有點打折扣。）