【#中国科学院微电子所在高密度三维动态随机存储器研究取得重要进展#】#中国科学院[超话]#

中国科学院微电子研究所集成电路制造技术全国重点实验室联合北京超弦存储器研究院和山东大学的研究团队提出了一种创新设计——双栅4F² 2T0C存储单元。该技术通过原位金属自氧化工艺实现了读取与写入晶体管的自对准集成，并能通过多值存储技术进一步提升存储密度。测试结果令人瞩目：该垂直双栅晶体管展现出卓越的开态电流与亚阈值摆幅，在85℃高温条件下稳定性测试中表现出色，NBTS和PBTS分别达到-22.6 mV与87.7 mV，兼具高性能与高可靠性。基于此晶体管设计的4F² 2T0C单元能支持4比特多值存储，写入时间仅需50纳秒，数据保持时间超过300秒，展现出显著的技术潜力。http://t.cn/AX4UmSuw