一、市场解析

存储

1.存储超级周期

AI需求已打破传统存储周期模型，驱动行业进入“超级周期”新阶段，价格全面上涨与技术范式革新共同构成核心投资主线。传统3-4年的存储周期规律被打破。

存储器是半导体中仅次于逻辑的第二大细分市场，其历史表现与整个半导体周期走势一致，但波动性大于整个行业，大市场与强周期属性并存。通过复盘我们发现每轮存储大周期（08年、16年等）的开启都是由新兴技术推动产品升级和创新，进而催生新产品的总量、渗透率和存储器价值量的提升，推动存储器市场规模上升一个台阶，随着AI驱动需求提升，当下我们走在新一轮存储大周期的起点。AI作为工业革命后最重要的产业革命，需求的上限有多高可能难以预测。

存储芯片市场基本遵循“产能过剩一价格下跌-厂商减产-供需平衡一价格回升-产能扩张一再次过剩”的周期性规律，一个完整周期通常为3-4年。但本应在2024年进入下行周期的存储市场，因A1需求高增和头部厂商控产，价格在2025年上半年意外反弹。存储的行业周期波动大于其他半导体细分市场，弹性更强。主要原因为存储芯片市场标准化程度最高，可替代性强,受行业景气度供需关系影响较大，且当前存储行业已形成垄断格局，头部厂商在产能规划和产品定价方面步调相对一致。

2.AI需求带动存储

需求旺盛，供不应求导致存储器价格飙升。Google、Meta、微软及亚马逊AWS等北美四大云厂（CSP）持续扩大AI基础建设投资，2026年总投资金额有望达到6000亿美元（约合4.2万亿元人民币）历史新高规模。在AI强劲需求带动下，2025年存储芯片价格大涨，其中DDR4 16Gb涨幅高达1800%，DDR5 16Gb涨幅高达500%，512Gb NAND闪存涨幅高达300%。2026年全年全球存储芯片仍将供不应求，有望持续涨价。三星、SK海力士等厂商扩产周期长，新厂产能释放需到2027-2028年。

自2024年起，AI与服务器领域的DRAM消耗量大幅增长。这一趋势预计将持续，到2026年占DRAM总产能的比例将达到66%。AI与服务器对DRAM的消耗不再局限于HBM和DDR5，还正拓展至LPDDR和图形DRAM领域。TrendForce数据显示，2025年第三季度，DRAM价格较去年同期大幅上涨171.8%。涨势在第四季度持续发酵，甚至一度导致三星、SK海力士、美光等原厂暂停DDR5合约报价，市场陷入极度紧张状态。2025年下半年，LPDDR的整体价格涨幅超50%。DRAM的增长主要由服务器市场驱动，尤其是北美云服务提供商（CSPs）的订单稳步增加。得益于AI服务器的快速部署，2026年的需求量增长预期已被上调。根据TrendForce预测，2026年DRAM的平均售价有望同比增长58%。

TrendForce预测NAND Flash的供应端紧张态势将持续至2026年，主要受限于位元增长率有限、资本支出较低以及HDD短缺难以填补企业级SSD，这些因素将共同推动价格保持上涨趋势。需求端，受经济逆风影响，消费端需求预计将同比持平，但来自数据中心领域的巨大需求将完全抵消这一影响，数据中心依然是市场的主要增长动力。根据TrendForce预测，2026年Enterprice SSD价格涨幅58-63%。NAND Flash的平均售价将同比增长32%，NAND总体价格有望增长58-63%。

3.长鑫IPO

IPO申请已进入“预先审阅”流程。本次拟募资295亿元投向量产线技改、下一代技术升级及前瞻研发，将加快公司DRAM产能建设、完善产业链布局，利于提升我国DRAM产业核心竞争力，并推动供应链本土化。长鑫上市有望形成强大的产业带动效应，推动EDA、半导体材料、设备及零部件等上下游协同发展。

长鑫科技深耕DRAM产品，现已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案，可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，根据Omdia，按照产能和出货量统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。通过跳代研发加快技术创新，公司完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和代际演进，目前核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。公司第五代DRAM产品收入占比从2023年的0.4%提升至25H1的40.4%。2024年，公司12GB及以上LPDDR4X产品和64GBDDR5产品收入占比分别为2.8%、0.6%，25H1快速提升至8.9%和9.9%。

2025年，公司预计实现营收550-580亿元，较上年同期大幅增加127.5%-139.9%；净利润预计为20-35亿元，实现转正，同比增长122.1%-138.7%，归母净利润预计亏损6-16亿元，亏损金额较上年同比大幅收窄。25Q4预计实现营收229-259亿元，环比增长38%-56%；净利润预计为79.8-94.8亿元，环比提升522%-601%；预计净利率转正，指引区间为35%-37%。

4.新架构迭代

4F²技术是实现3D DRAM的一个重要技术方向，将存储阵列和外围电路阵列从水平放置变为垂直放置，单元长边和短边都是2F，单元面积因此为4F²，相较于之前的8F²、6F²技术有效减少了存储单元面积。4F² DRAM、 3DNAND等存储新架构的创新带来刻蚀、沉积、键合设备新的发展机遇。

CBA是一种将控制逻辑芯片与存储芯片分别制造、再通过高精度“键合”封装 集成的技术。这种结构让逻辑部分可以采用更先进的制程工艺，提升控制效率和能 效，最终将两者高效地堆叠在一个小型模块中。预计4F²单元的缩放和CBA集成将带来高达30%的位密度提升，同 时还能利用更先进的逻辑节点来提升性能和可靠性。

5.HBF

高带宽闪存（HBF）。AIN-B，即High Bandwidth Flash（HBF），是SK海力士与SanDisk（西部数据）联合推动的行业标准，意在复制HBM在DRAM领域的成功路径。HBF摒弃了传统SSD的封装形式，采用了类似HBM的垂直堆叠封装。通过硅通孔（TSV）技术将多个NAND Die堆叠，并直接键合到底部的逻辑控制芯粒（Base Die）上。HBF旨在提供远超传统SSD、接近低端DRAM的带宽，同时具备NAND的高密度特性。其容量可达HBM的8至16倍，主要用于存储大模型的KV Cache（键值缓存）或作为“热”模型参数的驻留地，从而释放昂贵的HBM空间用于计算。