东微半岛🔑
概念：脑机接口+IGBT+逆变器+第三代半导体
1、上海东脑智合技术是由东微半导董事长龚轶先生与中国科学院半导体所研究员、国科大岗位教授裴为华先生共同设立的一家汇聚了半导体和神经科学领域人才的专注于侵入式脑机接口技术研发的创新型企业。
2、公司加大IGBT大功率单管产品研发投入力度，拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景，并配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车主驱的客户导入、产品验证工作。
3、公司独创结构的Tri-gate IGBT新型功率器件由中小功率产品拓展至大功率产品方向研发应用，尤其在电站用逆变器细分场景获得终端客户的认可并被选用，性能超越国际大厂，在高端应用领域实现国产替代。
4、公司在第三代半导体研发及产业化方面进行了提前布局，在SiC二极管、SiC MOSFET及Si2C MOSFET器件上取得了较大的研发进展。