存储观点更新：推理存储带动NAND增量，小容量Nor格局迎来改善　
　
Rubin推理存储新架构，Nand迎来可观增量　
CES中NV提出全新存储架构，英伟达借助BlueField-4提供上下文记忆存储平台，在GPU存储和传统存储中构建“第三层”。每块GPU额外获得16TB内存（原1TB）。　
若以Rubin Die 1000万出货量计算，对应新增Nand需求为150EB，将带动Nand缺口增加约15%，若ASIC采用类似架构，缺口将更甚。据Smic三季度业绩会，仅5%的存储缺口就可能会导致价格翻倍，Nand市场或将迎来较强价格冲击。　
　
华邦、旺宏拟退出小容量Nor市场 　
当前华邦、旺宏的台系利基型存储厂商或将加速退出小容量Nor Flash市场，格局或将迎来显著改善。国内小容量Nor Flash厂商有望凭借较强的技术优势（如华虹SONOS工艺）与较大的产能掌握定价权。　
价格而言，小容量Nor产品（128兆及以下）2026年Q1涨幅最大，普冉、恒烁等厂商涨价激进，Q1整体涨幅在50%以上，16兆以下容量涨幅超过100%；2026年全年小容量产品涨幅预计超过2025年的150%以上。　
　
建议关注 　
利基型存储代工：中芯、华虹；　
Nand链：华润微、中微公司、微导纳米、中科飞测、鼎龙、安集等；　
利基型存储：兆易创新、普冉股份、恒烁股份等