光刻胶+存储芯片+可控核聚变，最新的热门公司梳理！

本期主要梳理最新较热门的光刻胶、存储芯片、可控核聚变三个领域，分享给大家一起探讨研究。

特别声明：以下内容绝不构成任何投资建议、引导或承诺，仅供学术研究、研讨之用。

一、光刻胶领域

技术突破与国产替代共振，高端攻坚打开局面。光刻胶近期有两大焦点：一是国产技术密集突破，国内企业193nm ArF光刻胶完成14nm节点工艺验证并即将量产，EUV光刻胶搭建中试线，北京大学科研团队解析分子微观结构奠定良率提升基础，打破日美长期垄断；二是供需缺口与政策加持，日本强震等方面影响高端产能或导致进口供给紧张，国内晶圆厂新增产能超200万片/月，半导体领域需求同比增长，叠加政策专项补贴与大基金支持，国产替代紧迫性凸显。

从前景看，SEMI数据显示国内光刻胶市场增速远高于全球，2026年规模预计达28.5亿美元，KrF光刻胶已实现规模化替代，ArF光刻胶进入上量期，未来将聚焦EUV光刻胶等高端领域突破，伴随下游认证落地，国产企业有望持续提升市场份额，替代空间广阔。

最新热门代表公司：鼎龙股份、上海新阳、茂莱光学、航天智造、华懋科技、飞凯材料、新莱应材、国风新材、彤程新材、晶瑞电材、雅克科技、高盟新材、安集科技、南大光电、芯源微等。

二、存储芯片领域

供需共振叠加技术迭代，国产替代迎来超级周期。存储芯片源于双重驱动：

一方面供需失衡引发涨价潮，AI服务器对DRAM和NAND需求分别为普通服务器的8倍和3倍，OpenAI锁定大量晶圆供应，海外大厂向HBM、DDR5等高利润产品倾斜，中端供给缺口扩大，三星、SK海力士Q1 DRAM报价环比涨60%-70%，DDR5同比涨幅超300%，缺货与涨价形成共振 。

另一方面国产替代加速推进，长鑫存储完成DDR4到DDR5的技术迭代，长江存储294层3D NAND良率超90%，本土厂商在中端市场填补空白，上游设备、材料企业受益于规模化生产需求 。

未来，WSTS预测2026年全球存储市场规模达2283亿美元，AI与汽车电子将持续拉动需求，国产企业有望在中端市场实现全面替代，在高端领域逐步突破，产业链话语权持续提升，行业高景气度有望延续。

最新热门代表公司：恒烁股份、普冉股份、聚辰股份、神工股份、协创数据、安集科技、芯源微、珂玛科技、精测电子、盈星发展、江丰电子、长川科技、立昂微、西测测试、兆易创新、华虹公司、佰维存储、澜起科技、北方华创等。

三、可控核聚变领域

政策护航，产业化前夜加速临近。可控核聚变产业加速逻辑清晰：一是技术突破持续落地，能量奇点“洪荒70”实现120秒稳态长脉冲等离子体运行，AI技术赋能等离子体控制与预警，全球近40个国家推进聚变计划，超160座装置在运行或规划中 。

二是政策与产业生态完善，《中华人民共和国原子能法》将聚变纳入法律保障，“十五五”规划明确前瞻布局，2026合肥产业大会将推动技术交流与商业化对接，国内形成“国家队+民间队”双轮驱动格局 。

前景方面，聚变工业协会数据显示全球行业投资五年增长超4倍，预计2030年代初实现并网发电，中国在磁约束路线上处于并跑乃至领跑地位，BEST装置计划2030年实现发电演示，未来随着材料、工程难题破解，聚变能将成为终极清洁能源，中国有望凭借制度与产业优势，在全球能源革命中占据主导地位。

最新热门代表公司：联创光电、国机重装、远东股份、航天晨光、王子新材、华菱线缆、中国核建、精达股份、雪人集团、合锻智能、西部超导、安泰科技、哈焊华通、厦门钨业、太钢不锈、上能电气、理工光科、斯瑞新材、海陆重工等。

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