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SMIC 工藝整理 2026.01.10 update

這篇是結尾和N+4工藝推測

圖一二把N+3的一些製程資訊改正了，短期應該就更新到這了。

另外要提的是，這邊應該也是第一次中芯證明自己的immersion單次曝光能力能做P76，在M4/M5我們看到了76nm pitch。

今年接下來Decap觀察重點應該是（1）Ascend 950工藝，（2）東大其他廠商ASIC是否會看到N+2，和（3）Kirin 9040 (or Kirin 9050)工藝是否有變化。

針對第三點我的預期是今年末的晶片都是N+3良率的改進版或面積放大版，正如Kirin 9000S到Kirin 9020這樣，都是沿用同一工藝。

網路上傳的3D封裝我也不覺得會看到，但會不會真的是忍受不了工藝進步的緩慢而上3D堆疊？但這樣在積熱方面會付出很大代價。今年蘋果的封裝選擇會讓你們看到手機商一般在意的性能取捨是什麼，目前台積不論是在AI晶片/ 手機領域 的2.5D/3D封裝技術都是領先的，所以蘋果具有最優的選擇搭配 （晶片+封裝）。

我自己是預期明年會看到密度為135-150mtr之間的N+4產品，可能是G54H198 （137.8 mtr, 21.5%密度提升)或者是G51H198 (145.9 mtr, 28.6%提升）。

當然今年也不排除看到N+3P，可能是G54H216 ，是目前N+3的G57H228的XY方向等比微縮，cell height 12nm的縮減可能來自M0 track pitch會從30nm減為28nm，亦或者是M0 track pitch不動，power rail CD直接少12nm。那麼隔一年的N+4可能為G51H188 （153.7，35.5%密度提升） 。

路線就整理在圖三，分為正常版和aggressive版。

以上包含上文和圖三的密度提升都是相對於N+3，而我們知道N+3又比N+2有22.2%密度提升了（中間開發花了2-3年），所以即使是normal路線，兩年密度提升21.5到28.6%都已經是巨大挑戰，更別論aggressive路線。