国产光刻机以上海微电子(SMEE)为核心，正从成熟制程向先进节点迈进。2025年，关键进展聚焦于28nm DUV量产验证以及全产业链配套的加速推进，EUV则进入原型与光源的攻关阶段。
28nm浸没式DUV(ArF)：已进入中芯国际/华虹进行验证，套刻精度≤8nm，良率达标；核心部件国产化率超85%，年内计划交付10+台，可支持≥7nm（多重曝光）