DDR4等产品价格大幅上涨，行业迎来周期性反转与结构性增长叠加的机遇。

当前行情由多重动力驱动：一是AI大模型兴起显著推高数据中心对HBM高带宽内存等高端存储的需求；二是三星、海力士等国际巨头调整产能，加剧了通用存储的供给紧张；三是长江存储、长鑫存储等国内企业在3D NAND和DRAM领域实现技术突破与份额提升，国产替代正转化为实际业绩。

产业链各环节受益逻辑分明：兆易创新在NOR Flash领域全球领先；澜起科技占据DDR5内存接口芯片主要市场；江波龙等模组厂商深度绑定AI服务器供应链；太极实业等封测企业受益于HBM先进封装需求。同时，设备与材料环节的北方华创、雅克科技等公司正加速实现国产替代。

展望未来，AI算力需求的持续性与技术迭代（如HBM3、3D NAND）有望驱动行业从强周期向成长性切换。国内产能扩张与技术升级，或将重塑全球存储市场格局。然而，行业也需警惕产能过剩、地缘政治及技术迭代带来的风险。具备核心技术、规模与客户优势的企业，更有可能穿越周期，引领产业发展。#存储市场进入超级牛市#