我国科研团队首创“离子注入诱导成核”技术，攻克氮化铝成核层“岛状”结构导致的散热瓶颈这一困扰射频芯片领域近20年的难题，通过将其转化为原子级平整单晶薄膜，使界面热阻降至传统技术的1/3，氮化镓器件X波段、Ka波段功率密度较国际纪录提升30%-40%，该技术兼容现有产线，适用于第三代、第四代半导体材料，可支撑5G/6G通信、雷达等场景，为半导体材料国产替代与产业链升级提供了“中国范式”。#一分钟视频创作季##我国攻克半导体材料世界难题# http://t.cn/AXGStbY5