中国即将量产HBM3……韩中技术差距由4年缩小至3年

中国将于今年开始量产第四代高带宽存储器（HBM），HBM3是人工智能（AI）半导体的核心组件。这标志着HBM追赶战的开始。

韩国半导体公司也在加快步伐，力图在技术竞赛中保持领先地位。三星电子将于本月底开始为英伟达量产HBM4显存，这在世界范围内尚属首例。

据半导体行业8日消息，中国领先的DRAM厂商长信存储科技（CXMT）计划今年将其DRAM月产能提升至30万片晶圆。其中，约6万片晶圆（占20%）将用于HBM3的生产。韩国企业已于2023年开始量产HBM3。上一代HBM技术中韩国与中国之间的差距为4年，而HBM3的推出将这一差距缩小至3年。据悉，三星电子和SK海力士预计将分别投入约15万片DRAM晶圆用于HBM的生产。[吃瓜]

与NAND闪存（差距已缩小至约1年）和DRAM（预计约为2年）相比，HBM领域曾是中国半导体技术差距较为明显的领域。然而，随着中国在国家层面大力推进人工智能半导体和HBM技术研发，这一差距正在缩小。

一位业内人士表示：“华为是中国人工智能半导体发展的领军企业，目前正与CXMT合作开发HBM芯片。”他补充道：“尽管良率较低，但预计他们将进入量产阶段。”

随着技术差距缩小，美国科技公司也开始认真考虑使用中国制造的存储半导体。由于存储供应日益紧张，他们正在考虑采用之前从未用过的中国厂商生产的存储半导体。

据中国IT媒体快讯和日经亚洲报道，包括惠普、戴尔、宏碁和华硕在内的PC厂商正在考虑使用CXMT的DRAM。虽然这主要是由于内存半导体短缺造成的，但人们越来越担心，即使供应充足，他们也可能转而使用中国产品。

据业内人士透露，三星电子计划率先在全球范围内量产并交付其为英伟达提供的第六代显存产品HBM4。据悉，量产交付时间最早可能在本月第三周。三星电子已通过英伟达的质量测试并收到采购订单(PO) 。SK海力士目前正在向英伟达提供付费样品，并计划在第一季度开始量产供应。