【国际首次太空在轨验证，#西工大团队在植入式脑机接口领域取得突破#】2 月 9 日消息，植入式脑机接口技术正加速从科幻场景走向临床应用。据中新网报道，西北工业大学常洪龙教授、吉博文副教授团队成功研发出一种三维锥形碳基软性大脑皮层电极阵列，有效解决了传统电极长期植入稳定性差、易损伤脑组织等关键技术瓶颈，相关成果荣获 IEEE MEMS 2026 最佳论文奖。

据IT之家了解，该电极采用碳基材料与三维锥形结构设计，具备高度柔韧性，能够贴合柔软曲折的大脑表面。动物实验显示，其关键性能较传统金属电极提升数百倍，可在不损伤大脑皮层的前提下获取高保真脑电信号，并实现长期稳定的刺激调控功能。此外，该电极可在超高场核磁共振检查中安全使用。#脑机接口##航天科技#