【#中国科学院在β-Ga2O3垂直功率器件方面取得新进展#】#中国科学院[超话]#

近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台在氧化镓（β-Ga2O3）功率器件领域取得两项重要突破：首次基于纳米加工平台开发工艺制备了多鳍通道欧姆接触阳极β-Ga2O3二极管（MFCD），实现超低漏电的千伏级击穿电压；http://t.cn/AX5QjCuJ