#内存价格飙升90%#Dram涨价已经是过去时了（至少对投资而言是过去式）。
现在Nand闪存貌似也开始涨价的样子。
技术发展也可以关注一下HBF（High Bandwidth Flash）的进展。
大模型长效记忆能力是英伟达下一代要解决的方向。但是HBM目前的用的是根植于DRAM的技术，又叫做易失性存储器，这意味着当断电时，存储在其中的信息会丢失，具有物理性的失忆性。
而Flash则是长效记忆的天然载体，即便是断电也不会失忆。搞不好未来会有HBF发展后，部分取代HBM市场的，或者作为HBM补充或增量市场出现。