#CMOS图像传感器[超话]#
ISSCC2026 Section7.10 思特威200M 0.61um

1. 交错共享晶体管架构 (Interlaced-Shared Transistor Architecture)
- 采用 2×4共享晶体管结构 (2×4 shared transistor)
- 实现行间独立控制，无需与其他行交织操作
- 有效降低功耗并提升噪声性能

2. 超低噪声读出性能
- 亚1电子读出噪声 (Sub-1e⁻ Readout Noise)
- 在200MP高像素规模下仍能保持极低噪声水平

3. 片上HDR合成技术
- 无运动伪影HDR合成 (Motion Artifact-Free HDR Synthesis)
- HDR处理直接在芯片上完成，无需片外处理

4. 可编程降噪模块
- 集成于第一级和第二级之间的可编程降噪电路
- 进一步优化噪声性能

5. 像素堆叠技术
- 采用 像素堆叠CMOS图像传感器 (Pixel-Stacked CMOS Image Sensor) 结构
- 有利于实现高像素密度与高性能的平衡

6. 超高像素密度
- 2亿像素 (200MP) 规模
- 0.61μm 超小像素间距
- 支持 8K视频