SK海力士在今天与高盛举行的线上集团会议上披露了以下信息：

1. 市场核心态势：内存“超级周期”全面爆发
2026 年被定义为由 AI 驱动的存储器超级周期。
供应短缺达到巅峰：2026 年将出现过去 15 年来最严重的 DRAM 供需缺口，预计供应缺口达 4.9%。
价格“抛物线”增长：预计 2026 年常规 DRAM 价格同比将飙升约 176%，而 2025 年至 2027 年的整体涨幅可能累计达到 275%–300%。
2. 供需结构拆解：AI 服务器与消费端的博弈

AI 服务器成为主引擎：到 2026 年，服务器相关存储（常规 DRAM、eSSD 及 HBM）将占据全球 DRAM 总需求的 50% 以上。

消费端“降配”与“结构性短缺”：虽然 PC 和智能手机品牌因成本压力（存储组件已占手机成本 25% 以上）可能下调配置，但由于大量产能被 HBM 占用，常规 DRAM 供应增速极低（约 16%–17%），这足以抵消消费端的需求放缓。

库存两极分化：服务器客户库存周转极快，基本处于随买随用状态；而 PC 和移动端客户的库存正在加速耗尽，面临不得不接受高价补货的困境。

3. 海力士的统治力：绝对的“卖方市场”

库存触底：SK 海力士目前的 DRAM 和 NAND 库存仅维持在约 4 周 的极低水平。
• 2026 年产能已售罄：海力士已明确表示其 2026 全年的生产配额已被客户提前锁定。

极高的议价能力：由于新厂（如海力士龙仁厂、三星 P5）要到 2027 年才能投产，短期内无法大规模增产，这使得海力士拥有极强的定价权。
4. 财务预测与未来战略

创纪录的利润率：高盛预测海力士今年的 DRAM 营业利润率将达到 70%–80% 的惊人水平，NAND 利润率也将由于企业级 SSD 的强劲需求升至 40%–50%。

HBM4 领先优势：海力士预计在 2026 年将维持 HBM 市场 50% 以上的份额，并在 NVIDIA 下一代平台（Rubin）中占据 70% 的 HBM4 市场份额。

AI 全栈布局：海力士正计划在美设立专门的 AI 公司（AI Co.），并投入 100 亿美元 资金，旨在从单纯的芯片制造商转型为“全栈 AI 存储方案商”。