手机顶级旗舰处理器2nm SoC还未大规模量产落地,亚1nm(≤1nm)已曙光乍现!
严格讲2026早已经是All in GAA NSFET的2nm时代了,
而1nm以下,则需要FSFET架构,未来更将演进至CFET架构……
1nm其实已经无限逼近硅基芯片的物理极限了,我很好奇它们如何搞定量子隧穿效应,当然TSMC是信心满满的(它们寄希望通过创新的2D材料和3D结构来替代传统硅),A16(1.6nm)、A14(1.4nm)等次世代先进工艺节点已经在推进中了。
Lam Research和IBM最近悄悄干了件大事:双方就亚 1nm 尖端逻辑制程的开发达成合作,双方为期 5 年的新协议将重点聚焦新材料、先进蚀刻 / 沉积工艺、High-NA EUV 光刻的联合开发。
IBM强在先进研究能力,泛林强在端到端工艺工具和创新技术,它们有能力构建并验证纳米片和纳米堆叠器件以及背面供电的完整工艺流程,这些能力旨在将 High-NA EUV 图案可靠地转移到实际器件层中,实现高良率,让量产落地可期。
依照IMEC披露的roadmap,3nm逻辑芯片的上限已被FinFET封死,但1nm时代2年后见。
发布于 上海
