今日英特尔在上海介绍第三代英特尔酷睿 Ultra 处理器，其采用的英特尔 18A 制造工艺中，采用了 RibbonFET 技术，是自 FinFET 以来的一次真正的技术革命。其带来更好的电隔断和开关速度，同样芯片面积，可以堆叠更多晶体管，或是根据需求灵活地调整性能和能耗。

英特尔 18A 另一项重要技术是 PowerVIA 背部供电技术，将供电层放在晶圆背面，降低电压损耗和对信号的干扰。

英特尔 18A 相比英特尔 3，拥有超高 15% 每瓦性能提升和 30% 密度提升。