全球存储芯片市场正经历“价格风暴”。受AI数据中心对高性能存储需求驱动，DRAM和NAND价格涨幅远超预期
TrendForce上调预测，DRAM合约价涨幅修正为90% - 95%，NAND为55% - 60%，内存价格三月内近乎翻倍。
Counterpoint Research的数据，2026年第一季度，存储芯片价格迎来惊人涨幅。其中，服务器用64GB DDR5 RDIMM价格环比上涨150%，移动端12GB LPDDR5X上涨130%，甚至前代产品8GB DDR4 SO-DIMM也暴涨180%。NAND闪存同样表现强劲，整体涨幅约130%~150%，远超此前预期的100%季度增长。
此次价格飙涨的核心动力来自AI产业的快速发展。相比中东地缘政治风险或运输成本上升等宏观因素，科技企业对AI基础设施的大规模投入直接引爆了存储需求。业界普遍认为，供应紧张局面至少将持续到2027年下半年。
尽管主要DRAM厂商如三星电子、SK海力士、美光、长鑫存储、南亚科等预计2026年产量将增加约26%，NAND产量增加约24%，但供给端的实质性扩张仍需时日，短缺问题预计要到2027年下半年才有望缓解。
在HBM市场，SK海力士2025年以约60%的份额主导，但2026年因供应英伟达的HBM4产品设计调整，市占率可能略有下滑。相比之下，三星的HBM4增长势头更值得关注。
长期来看，国产存储芯片的崛起正成为重要变量。预计到2028年，长鑫存储的DRAM市占率有望提升至10%以上，而长江存储在NAND领域的份额目前已达约13%，未来或将进一步改变市场格局。
存储芯片涨价传导至下游，一线PC厂商库存降至警戒线，预计2026年全球PC出货量萎缩10%左右。