1）据财联社报道，3月17日韩国SK集团董事长崔泰源在英伟达GTC大会上表示，受AI市场需求激增及芯片生产系统性瓶颈影响，全球内存芯片短缺情况可能持续至2030年，当前AI存储芯片短缺率已超30%。同时，他预计DRAM、NAND和HBM等各类存储芯片价格将持续上涨较长时间。

2）此外，英伟达CEO黄仁勋在大会上对Blackwell及Vera Rubin芯片给出了超预期的需求量指引（分别达5000亿美元和1万亿美元）。受此提振，韩国半导体股（SK海力士、三星电子）表现强劲。

3）昨晚美光科技涨4.5%报461.69美元，刷新了历史纪录，年内累涨61.33%。相关存储设备LAM、KLA等纷纷大涨，股价基本都回到了战争冲突之前，GTC大会直观展示：AI发展下，存储需求高速高容量这一确定的发展趋势；

4）全球存储紧缺时间持续性不断上修，SK集团GTC大会表态全球DRAM紧缺可能会持续至30年，核心逻辑：产能供给无法需求快速增长！

5）海外核心存储原厂资产仍以典型周期资产估值定价，随着后续基本面不断超预期，有望朝着成长性资产定价，估值不是6X、7X，有望10X、15X！

6）韩国三星最大的工会组织“全国三星电子工会（NSEU）”威胁称，公司正就三星史上最大规模的罢工计划进行投票——一旦本周三投票通过，将在5月中断芯片生产。三星作为全球最大的存储芯片制造商，如果其发生罢工事件，可能会加剧全球半导体供应的瓶颈问题。

A股存储板块，除了模组走出独立行情，存储设备资产跌幅普遍10-15%，与美股设备形成巨大反差，不能简单归因估值：涨的时候没觉得贵，大幅调整后觉得贵本身就是自相矛盾！华创、长川、华海等27年的估值已经不到30X，拓荆等对应27年估值30X左右，相较海外估值更便宜！

大陆两存扩产、先进逻辑扩产比海外只会更加激进，还叠加国产替代逻辑！

AI算力需求呈指数级爆发，高端存储面临长期结构性短缺。

SK集团高层表态印证了产业链对存储赛道的高景气判断。当前AI大模型迭代对算力的渴求直接转化为对HBM巨量需求。由于晶圆产能扩充面临极高的资金和时间壁垒，供给端的刚性与需求端的弹性形成显著错配。高达30%的缺口率以及“#短缺持续至2030年”的预期，#意味着高端存储芯片在未来几年内将处于绝对的卖方市场。

供需错配长逻辑兑现，#存储板块量价齐升周期有望大幅拉长 在产能受限的背景下，存储芯片价格的持续上涨成为必然趋势。SK董事长崔泰源明确指出DRAM、NAND和HBM价格将持续上涨，表明不仅是AI专属的HBM，通用存储（DRAM/NAND）也在AI服务器挤占产能及传统消费电子复苏的共振下迎来了全面的价格上行周期。存储原厂的盈利能力和毛利率水平有望在较长一段时间内维持高位，甚至超市场预期。SK海力士考虑赴美发行ADR，也有望进一步提升核心存储厂商的全球估值中枢。

下游头部厂商指引极度乐观，彻底消除市场对AI降温的担忧。

此前市场对AI基础设施建设的持续性存在一定分歧，但此次GTC大会上，英伟达对Blackwell及Vera Rubin芯片高达1.5万亿美元的总需求预测，以及三星代工Grok3 LPU的量产计划，为整个算力产业链注入了强心剂。核心逻辑在于：前端算力芯片的放量，必将按比例甚至超比例带动后端存储芯片（尤其是HBM和高规格DDR5）的消耗。

我们认为存储板块的景气周期长且确定性极高，坚定看好存储板块的配置机会。

相关标的：美光、海力士、三星、德明利、佰维存储、江波龙（持续关注Q1财报各家表现）。

风险提示：下游需求不及预期，相关政策监管与法律风险。