【三星电子：#2026年出货由HBM4主导 HBM5将采用2nm制程#】#三星电子#

韩媒最新报导指出，三星电子正加速推进下一代高频宽存储布局，在HBM4 今年正式进入量产的同时，已将目光投向更远一代产品，打算将HBM5 基片工艺从4 nm提升至2 nm，并以1d DRAM 作为HBM5E 的核心堆叠存储。
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