中国科学技术大学集成电路学院孙海定教授iGaN实验室，联合武汉大学刘胜院士团队，成功研制出一种高性能紫外光电倍增型探测器，并完成弱紫外光探测与硬件成像验证。在《Science Advances》上发表论文，团队提出“非晶化-重结晶”两步走工艺构建超薄非晶/结晶氮化镓异质结构，并利用界面陷阱辅助的空间电荷限制电流传导机制，在低工作电压下实现了类雪崩的非线性光电流倍增效应。该设计避免了传统紫外雪崩器件必须依靠高压驱动且严重依赖碰撞电离效应所导致的暗电流急剧增加的挑战，突破了雪崩探测中高响应度与低暗电流之间的固有权衡和相互制约的瓶颈，实现了超高响应度>107 A/W和极低暗电流~1 pA的弱紫外类雪崩探测，性能远超商用光电倍增管，为弱光工况下实现高增益雪崩探测提供新的器件范式。【点击🔗阅读原文：http://t.cn/AXf90vv2】

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