【#存储芯片# ：野村大幅上调存储芯片价格涨幅预期，预计Q2 DRAM与NAND分别环比增长51%与50%】
野村证券于 2026 年 3 月发布的最新报告，将 2026 年 Q2 存储芯片价格涨幅预期进行了 “量级式” 上调，核心预测如下：
一、核心预测数据（环比）
DRAM（内存）：+51%（此前预测仅 +6%）
NAND Flash（闪存）：+50%（此前预测仅 +20%）

二、涨价核心原因（AI 驱动的结构性短缺）
需求端：AI 算力爆发，需求刚性且长期化
AI 服务器需求是传统服务器的 8-10 倍，直接吞噬海量存储产能。
HBM（高带宽内存）产能被英伟达、微软、谷歌等巨头全额包销，订单排至 2027 年后。
头部云厂商纷纷签订3 年以上长期协议（LTA），锁定货源，存储从 “大宗商品” 转为 “长协模式”。
供给端：产能错配 + 扩张严重滞后
产能倾斜：三星、SK 海力士、美光将超 70% 新增产能转向高利润的 HBM 与服务器内存，消费级存储（如手机 LPDDR、PC DDR）被大幅挤压。
扩产周期长：新厂建设、设备交付、良率爬坡周期长达2 年以上，2028 年前难有有效新增产能。
库存极低：SK 海力士等大厂库存仅约4 周，处于历史低位。

三、市场影响
产业链传导
上游：存储原厂（三星、SK 海力士、美光）业绩与利润暴增。野村大幅上调 SK 海力士目标价至193 万韩元。
中游：模组厂（如威刚、佰维存储）跟随涨价，利润增厚。
下游：手机、PC、SSD 等消费电子产品价格全面上涨。
行业定性
野村将此定义为 **“存储长期牛市”**，认为其持续性和幅度将远超地缘政治引发的油价短期上涨。
行业进入超级周期，短缺状况预计持续至 2028 年。

四、与其他机构预测对比
机构 DRAM (Q2) NAND (Q2)
野村 +51% +50%
群智咨询 +28%~33% +35%~45%
高盛 / 美银 +20%~40% +15%~30%