有券商分析称，在AI算力需求爆发背景下，HBM带动DRAM高阶制程升级，3D NAND向400层以上堆叠演进，使得单万片产能投资额同步提升。

东方证券指出，随着堆叠层数的增加，刻蚀设备用量占比也将不断攀升。与2D NAND时代刻蚀仅作为光刻配套工序不同，3D NAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比；此外，DRAM未来也有望向3D堆叠方向发展，有望进一步推动刻蚀和薄膜沉积设备的需求量。

Lam Research预测，今年前道设备市场将增长23%。为满足客户需求，该公司正在扩大包括马来西亚工厂在内的多家工厂的产能。