【韩媒：#长江存储300层以上NAND即将量产#，韩国半导体面临挑战】 #3D NAND# #长江存储# #DRAM#

随着中国宣布计划于今年下半年实现300层以上超高层NAND闪存的量产，中韩两国在该领域的技术差距正迅速收窄。
NAND闪存与DRAM并称为韩国存储半导体产业的两大支柱，是一种可存储大量信息的非易失性存储器，其性能随堆叠层数的增加而提升。此前，三星电子、SK海力士等韩国企业与中方企业之间保持着至少一年的技术差距，但业内危机感正不断加剧——这一差距有望在今年内被追平。
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