西安电子科技大学传来国产芯片重要突破，相关探测芯片成本有望降至原来的百分之一。据校方消息，胡辉勇教授团队成功研发出基于硅锗工艺的单光子雪崩二极管（SPAD）芯片，显著降低短波红外探测技术的制造成本。此前这类高端芯片单颗价格高达数千美元，此次突破后，有望以仅百分之一的成本应用于智能手机、车载激光雷达等场景。

该团队采用与现有半导体产业链高度适配的硅锗技术路线，依托硅锗外延工艺平台完成材料生长，并通过标准硅基CMOS工艺制备探测器件，成功将探测波段拓展至短波红外区间。团队相关负责人表示，这相当于用制造手机芯片的成本，实现以往只有高价才能达成的短波红外探测性能。

目前，团队已形成从器件设计、材料外延、工艺流片、电路匹配到系统验证的全链条自主研发体系。规划中的硅锗专用流片线预计在2026年底建成，将为后续产品迭代提供高效验证渠道与稳定产能保障。