有一些有趣的迹象可以帮助我们衡量中国光刻设备技术的发展程度。[吃瓜]

据《中央日报》在SEMICON China展会现场对SMEE代表的采访，SMEE的DUV光刻设备目前具有以下特点：

对于晶圆台驱动机构，SMEE采用的是直接驱动系统而非滚珠丝杠。这与ASML采用的方法相同，通常认为比滚珠丝杠结构速度更快、精度更高。
- 所宣称的工艺覆盖范围从 100nm 到 10nm 节点。
该设备已投入批量生产并开始销售给客户。

SMEE的一名员工在展会现场向参观者介绍了该设备，具体如下：

“这是我们100%自主研发的双级扫描光刻系统。两个晶圆台交替进行扫描操作，当氟化氩（ArF）准分子激光器从上方发射光束时，光学系统会对其进行精确控制，从而在晶圆上形成电路图案。”

如果这些说法属实，那就意味着中国不仅已经完成了能够处理 10nm 节点的深紫外光刻工具的研发，而且已经进入了量产和商业销售阶段。

特别是，当你把ArF准分子激光器、双级扫描和直接驱动架构等信息拼凑起来，就会发现这套设备似乎是一套相当先进的深紫外（DUV）系统。如果其宣称的10nm制程能力指的是关键层，那么就很难排除它是ArF浸没式（ArFi）光刻机的可能性。换句话说，这表明中国要么已经非常接近最先进的深紫外光刻技术，要么在某些领域已经突破了这一门槛。